O segundo gráfico nos mostra o que é conhecido como Área de Operação Segura, ou SOA, em língua inglesa. São as condições de trabalho consideradas seguras para o transistor, no que se refere à tensão aplicada e à corrente que o atravessa.
No caso do 2SC5200, o gráfico nos mostra que ele suporta, continuamente, aproximadamente 1A a 75V, ou seja, 75W em regime permanente, na condição de temperatura especificada.
Os gráficos de SOA dos transistores normalmente se referem à condição contínua (CC) ou a pulsos de 1s, ou um pouco mais que isso.
Em 99,9999% das falsificações, pega-se uma pastilha de um transistor de baixa potência, coloca-se em um encapsulamento de um transistor mais potente (e mais caro) e renumera-se, ou grava-se uma numeração que não corresponde à sua capacidade.
Os transistores com encapsulamento plástico da Toshiba, como o 2SC5200, por exemplo, são alguns dos mais falsificados, seguidos pelos metálicos MJ150XX e 2N3055, vários Sanken etc. Então, se submetidos às condições máximas seguras, ou garantidas, dos fabricantes, os verdadeiros deverão “sobreviver”, e os falsos sucumbirão.
A ideia, aqui, é montar um circuito para testar essa condição, que permita a seleção de corrente de base do transistor em teste, de forma a ter-se uma certa corrente de coletor, para uma tensão entre coletor e emissor também selecionável, dentro do envelope de operação segura do transistor.
O teste deverá ser realizado durante poucos segundos, pois é muito severo e mesmo transistores originais podem não suportar essas condições durante muito tempo sem ventilação muito poderosa ou mesmo refrigeração.
“Colando” uma definição do artigo do prof. Brites, sabemos que o ganho de corrente (ẞ) pode ser definido por:
(IC/Ib)
Então, se controlamos a corrente de base, e, desta forma, obtemos uma corrente de coletor, podemos saber o valor do ganho de corrente. Em nosso circuito, teremos uma boa aproximação desse valor e, do ponto de vista prático, isso é mais que suficiente, em nosso caso.
Chamaremos o transistor a ser testado de (DUT), do Inglês de Dispositivo Sob Teste. Infelizmente em português a sigla resultante não cai bem, assim, vamos de DUT mesmo. O diagrama conceitual, para um transistor NPN do dispositivo, é o seguinte:
Ótimo, vou montar.
Boa sorte na montagem, Márcio! Apenas recomendo, se possível, usar um relé de dois contatos com capacidade maior e colocá-los em série. Vai aumentar a vida útil dele. Abraço.