O gráfico é referente à característica de ganho de corrente (hFE) versus corrente de coletor (IC) versus temperatura da junção, para uma dada configuração e para uma tensão definida entre coletor e emissor, no caso do transistor 2SC5200 da Toshiba.
Imediatamente vemos que esse semicondutor apresenta ganho razoavelmente constante até, mais ou menos, 3A de corrente de coletor, o que é uma boa característica. Também vemos que o ganho se altera significativamente conforme a temperatura da junção aumenta, de forma positiva. Isso nos diz que temos que providenciar algum controle de corrente para esses dispositivos, de forma a reduzir a corrente em sua base conforme a temperatura aumenta, e cuidar adequadamente do dimensionamento do dissipador do calor que ele possa produzir, no projeto.
Outra característica importante é a mostrada abaixo, para o mesmo transistor:
Da segunda figura, vemos que a corrente máxima que o 2SC5200 consegue manipular é função da tensão aplicada entre seus terminais de coletor e emissor, e a partir de 10V, ela cai significativamente em condições de corrente contínua. Para correntes pulsantes, não repetitivas, a sua capacidade depende da duração do pulso. Observamos, também, que a referência de temperatura de invólucro dos gráfico é 25oC.
Os comportamentos acima descritos são comuns a quaisquer transistores bipolares.
Ótimo, vou montar.
Boa sorte na montagem, Márcio! Apenas recomendo, se possível, usar um relé de dois contatos com capacidade maior e colocá-los em série. Vai aumentar a vida útil dele. Abraço.