Monte um Testador de Transistores Bipolares de Potência

Tecnologias de fabricação diferentes e material diferente podem levar a características elétricas diferentes, e isto, somado à característica citada anteriormente, pode levar a erros e dificuldades no uso da capacitância como método de medição.

Por sorte, para a maioria dos transistores modernos, há uma padronização muito boa nesses valores. Observamos que os bons e muito comuns 2SA1943 e 2SC5200 da Toshiba, independente do lote, apresentam valores de C_BE bem estáveis, entre 4nF e 6nF, e os seus equivalentes, de outros fabricantes, não necessariamente apresentarão esses valores. Torna-se necessário considerar o fabricante quando da medição.

Por outro lado, certas falsificações utilizam pastilhas de transistores de potência menor, colocando-as em invólucros de dispositivos mais potentes, e caros, assim, num caso prático, um transistor MJ15003 marcado como ON Semi que medimos, apresentava 2,6nF de capacitância de junção BE, abaixo, mas algo próxima, da dos transistores originais, em torno de 3,5nF. Ele não resistiu ao teste de tensão deste medidor, apesar de apresentar uma capacitância mais alta que a dos falsificados em geral.

Os transistores bipolares de silício são utilizados generalizadamente em circuitos eletrônicos, sendo que existe uma categoria, usualmente chamada de transistores de potência, responsável por controlar correntes elevadas, normalmente na casa dos ampères. Podem chegar às dezenas de ampères nessa função. Por isso, normalmente, são caros. Como visto, uma corrente de alguns miliampères circulando entre a base e o emissor desses componentes controla correntes da ordem de ampères em seu coletor.

Tais componentes apresentam, normalmente, ganhos de corrente mais baixos do que os dos transistores de média potência e de sinal. Importante entender esse comportamento, de uma forma geral, que pode ser representado pela figura abaixo:

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