Projetando um Estágio Seguidor de Fonte (MOSFET em Dreno Comum)

7. Impedância de Entrada do Estágio Seguidor de Fonte

7.1 A impedância de entrada do estágio polarizado pelo divisor de tensão será [1]:

a) R_in = R₁*R₂/(R₁+R₂), para baixas frequências;

b) O capacitor de acoplamento com o estágio anterior, ou a fonte de sinal, C_in, vai ser calculado em função da frequência de corte inferior f_L:

c) O capacitor de acoplamento com o estágio seguinte, ou a carga, C_out, vai ser calculado em função da impedância de saída do SE e carga R_L.

Não é conveniente usar C_out para determinar a frequência de corte inferior do estágio inteiro a -3dB, f_L.

Uma razão é reduzir a queda de tensão sobre  C_out, causada por sua impedância. Isso vai reduzir a distorção para sinais grandes.

Portanto, vamos calcular C_out para uma f_-3dB = f_L/10.

A resistência de saída do SF vai ser:

R_o ≈ R_s

Então, se fL é a frequência de corte inferior do estágio:

Para f_L em Hz e R_L em ohms, C_out resulta num valor em farads (F). Para obter o valor diretamente em µF, use:

Podemos usar a mesma expressão para o SF com fonte de corrente.