Projetando um Estágio Seguidor de Fonte (MOSFET em Dreno Comum)

U_o= 8 V_rms= 11,3 V_pico

PD=148mW por FET, 296mW total e THD=1,3%@1kHz

Tentando usar a fonte de corrente para aumentar a eficiência:

• Determinamos I_p;
• Fazemos I_Dq = 1,2.I_p

No mínimo.

Circuito simulado no LTSpice:

U_o=8V_rms=11,3V_pico, THD=1,1% @ 1kHz e PD=33mW no MOSFET