Projetando um Estágio Seguidor de Fonte (MOSFET em Dreno Comum)

Num MOSFET, a Porta (Gate) Canal está isolada por uma camada de óxido de silício e a corrente de porta é, mais uma vez, para CC, zero. Isso torna a operação do MOSFET também muito parecida com a das válvulas eletrônicas, onde a tensão entre grade e catodo controla a circulação de corrente. No MOSFET, o campo elétrico causado pela diferença de potencial entre a Porta (Gate) e a Fonte (Source) (Vgs) vai controlar a circulação de elétrons ou lacunas pelo cristal semicondutor do dispositivo.

Havendo campo elétrico entre dois condutores separados por um isolante, forma-se um capacitor, onde cargas elétricas são armazenadas, a capacitância de entrada do MOSFET.

O MOSFET é um dispositivo controlado por tensão, tendo como elétrons ou lacunas portadores de corrente, portanto unipolar, e elevada impedância de entrada, como uma válvula eletrônica.

Essa análise é válida para CC, em CA, entram em cena as capacitâncias internas do FET.

A dependência entre a tensão VGS e a corrente ID não é linear como entre IC e IB.

O Circuito básico com MOSFET de enriquecimento (os mais usados), em Dreno Comum ou Seguidor de Fonte:

A relação entre ID e VGS de novo não é linear e será aproximada pela Equação de Shockley, modificada (aplicada para V_DSQ e I_DQ):

I_DQ=k∙(V_GSQ-V_GSTh )², para V_GSQ> V_GSTh

V_GSTh é o valor da tensão para condução inicial do MOSFET, para I_D>0;