Álvaro Neiva,
Continuando nossa série em circuitos discretos classe A, vamos analisar outro estágio seguidor, dessa vez com um MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Os três eletrodos do MOSFET também são o Dreno, a Porta (Gate) e a Fonte ou Supridor (Source). Existem duas variedades de estrutura de MOSFETs, fora a dopagem do material N ou P, num total de quatro tipos: MOSFET de depleção e MOSFET de enriquecimento, todos com versões N ou P.
Outra variedade de FET é o MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor), semelhante ao JFET, mas com um contato metálico, formando um diodo Schottky, entre a porta e o canal semicondutor, o qual conduz a corrente entre a Fonte e o Dreno, e não uma junção PN inversamente polarizada. O MESFET é usado em amplificadores de RF para micro-ondas.
A principal diferença prática entre os JFET e os MOSFET é o isolamento da porta por uma camada de óxido de silício, permitindo o aparecimento de tensões positivas entre a porta e o canal. Outra importante diferença, devido à construção do dispositivo (figura 1), é fazer aparecer nos MOSFETs de enriquecimento (enhancement), a necessidade de uma tensão mínima positiva entre a porta e a fonte para o começo da condução de corrente. Sem essa tensão, não existe um caminho de condução entre dreno e fonte, mas duas junções inversamente polarizadas.
Os MOSFETs de depleção são mais parecidos com os JFET, mas podem ter tensões positivas de porta e conduzir correntes maiores que IDSS. Em ambos os tipos a porta está isolada por uma camada de óxido de silício e não há contato com o cristal semicondutor que conduz a corrente.
