Figura 10 – Diodo túnel 1N3712, fabricado pela Germanium Power Devices Corp.
Uma de suas características é oscilar em frequências superiores a 1 GHz, sendo indicado para circuitos de altíssima frequência, como na transmissão e recepção de sinais de tv em UHF, por exemplo. No entanto, como ele suporta baixas potências e tem custo elevado; não é muito utilizado nos dias atuais.
8. Diodo Varactor ou Varicap
Os diodos varactores ou varicaps são dispositivos semicondutores que ao serem polarizados inversamente, apresentam uma capacitância que muda conforme o valor de tensão aplicada, comportando-se como capacitores variáveis.
Os varicaps podem ser vistos em circuitos osciladores de equipamentos de transmissão e recepção de ondas de rádio, substituindo os pesados capacitores variáveis utilizados outrora.
Figura 11 – Diodo varactor 1S2638, fabricado pela Semtech Corporation.
9. Diodo Gunn
O diodo Gunn, também chamado de dispositivo de elétrons transferido (transferred eléctron device – TED) é um dispositivo semicondutor passivo com dois terminais, composto apenas por um material semicondutor dopado N, ao contrário de outros diodos que se baseiam na junção P-N. Para sua composição são utilizados materiais como arseneto de gálio (GaAs), fosforeto de índio (InP), nitreto de gálio (GaN), telureto de cádmio (CdTe) , Sulfeto de Cádmio (CdS), Arseneto de Índio (InAs), Antimonito de Índio (InSb) e Seleneto de Zinco (ZnSe).
Figura 12 – Diodo Gunn DC1200 de GaAs, fabricado pela Teledyne Lincoln Microwave.
É utilizado principalmente em sistemas de RF para frequências na faixa das micro ondas, entre 1 e 100 GHz. É aplicado na geração de sinais de RF, transmissores de baixa e média potência, sistemas de sensores de aproximação, dentre outras. São diodos de custo relativamente baixo, se comparados a dispositivos osciladores de RF.
bom conteudo