SEMICONDUTORES – Junções e Diodos


Figura 7 – Junção P-N onde nota-se a formação da barreira de potencial após a difusão das cargas.


A interface da junção P-N é formada por uma transição entre dopagem P e N, cada qual com sua concentração N de dopantes, que pode apresentar dois comportamentos: transição abrupta ou linearmente gradual (figura 8). Há casos em que a transição abrupta é mais adequada, e vice-versa. Também há situações em que uma forma de transição intermediária é mais aplicável.

Figura 8 – Tipos de transição de dopantes numa junção P-N.

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