A junção P-N (figura 4) é a base para construção dos diodos, sendo também a integrante da maioria dos dispositivos semicondutores.
Figura 6 – Junção P-N.
Devido ao processo de recombinação entre um elétron e uma lacuna, na junção ocorre uma difusão de elétrons do cristal tipo N ao P e das lacunas do cristal tipo P ao N. Desta forma, o material do tipo N, inicialmente neutro, passa a ficar com ausência de elétrons e torna-se positivo. No lado P da junção, a carga passa a ser negativa, e na medida em que a difusão eletrônica ocorre, acumulam-se íons positivos na zona N e íons negativos na zona P, gerando assim um campo elétrico (E) que atua sobre os elétrons livres da zona N e sobre as lacunas da zona P com uma determinada força, que é oposta ao fluxo de difusão até que um equilíbrio seja atingido.
Neste processo forma-se uma região que contém os átomos ionizados, sem cargas livres, chamada região de depleção, cuja tensão de campo é chamada de barreira de potencial (figura 7). A ddp é da ordem de 0,6V para cristais de silício e 0,3V para o germânio.
