Álvaro Neiva*
Continuando nossa série em circuitos discretos classe A, vamos analisar outro estágio seguidor, dessa vez com um FET de junção ou JFET.
Um Transistor de Efeito de Campo ou FET (Field Effect Transistor) controla a condução de corrente de forma diferente de um Transistor Bipolar de Junção ou BJT.
Os três eletrodos do FET são o Dreno, a Porta (Gate) e a Fonte ou Supridor (Source). Entre o Dreno e a Fonte existe um cristal semicondutor que forma um canal e pode ser do tipo N ou P. Sendo assim, somente um tipo de portador de carga será responsável pela circulação de corrente, elétrons (no tipo N) ou lacunas (no tipo P).
Num JFET, a junção Porta (Gate) Canal está normalmente inversamente polarizada e a corrente de porta é zero. Isso torna a operação do FET muito parecida com a das válvulas eletrônicas, onde a tensão entre grade e catodo controla a circulação de corrente. No FET, o campo elétrico causado pela diferença de potencial entre a Porta (Gate) e a Fonte (Source) (Vgs) vai controlar a circulação de elétrons ou lacunas pelo cristal semicondutor do dispositivo.
O FET é um dispositivo controlado por tensão, com elétrons ou lacunas como portadores de corrente, portanto unipolar, e elevada impedância de entrada, como uma válvula eletrônica.
Essa análise é válida para baixas frequências, em frequências altas, entram em cena as capacitâncias internas do FET. A dependência entre a tensão VGS e a corrente ID não é linear como entre IC e IB.
O Circuito básico:
*Engenheiro Eletricista
