Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I

Atenção:

Transistores de germânio apresentam maior corrente de fuga e, não devem ser confundidos com dispositivos defeituosos.

A chave SW4 possibilita a alternância entre o modo de operação hFE e a medição da tensão entre base e emissor (VBE). Certas aplicações requerem transistores pareados em ambas as características.

Para parear transistores em VBE, é crucial que todas as unidades em teste estejam na mesma temperatura.

O indicador de ‘overflow’, D5, acenderá quando o “limite de escala” for alcançado. Isso ocorre quando a tensão coletor-emissor se aproxima de 3,7 V. Este valor é aproximadamente o limite mínimo de tensão aceitável para o uso de um transistor em aplicações lineares de áudio, em alta-fidelidade.

Na prática a maioria das medições de hFE será feita com tensões maiores, distantes desse limite. Para transistores com ganho entre 10 e 800, a tensão coletor-emissor estará na faixa dos 8,0 V aos 10,5 V.

Esta faixa é consideravelmente mais realista quando comparada às tensões disponíveis na maioria dos testadores de semicondutores que utilizam microcontroladores. Geralmente, nestes dispositivos, a tensão máxima sob o transistor é inferior a cinco ou até mesmo a três volts.

Para um valor de corrente de base (Ib) de 1 μA, a indicação de ‘overflow’ ocorrerá quando a contagem atingir aproximadamente 6800 (escala com resolução de 1 mV). Para Ib de 10 μA, a contagem será de cerca de 2150. Esses valores correspondem às correntes do coletor de 6,8 mA e 21,5 mA, respectivamente.

É importante ressaltar que essa indicação de limite de escala não é crítica e pode variar para mais ou para menos, dependendo das características dos LEDs utilizados nas posições D6 a D9. Vale mencionar que esses LEDs não funcionam como indicadores. Invariavelmente, dois LEDs estarão suavemente iluminados e dois permanecerão apagados, a depender da posição de SW1.

2 comentários sobre “Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I”

  1. Luis5 de setembro de 2024 às 12:56 PMResponder

    Olá.
    Parabéns pelo ótimo trabalho que vocês estão fazendo.
    Quando será publicada a segunda parte desse ótimo artigo e quem é o autor?

Deixe um comentário