Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I

No entanto, agora a junção base-emissor do transistor sob teste (DUT) faz parte da malha de realimentação negativa de um amplificador operacional. Este amplificador ajustará a tensão do emissor para igualar o potencial da entrada inversora, assim como o da base, ao da referência presente em sua entrada não inversora. Fixando dessa forma a tensão na base do transistor. Por consequência, a corrente através de R1 permanecerá constante. Dado que a junção base-emissor está em série com esse circuito, podemos concluir que a corrente da base não será afetada pela queda de tensão na junção nem pelas variações de temperatura.
Uma qualidade adicional desse estágio é fornecer correntes equivalentes para transistores NPN e PNP, mediante poucas alterações.

Figura 5.

D1 não é um simples diodo Zener, como mostrado no desenho, mas sim uma referência de precisão. Essa referência pode ser constituída por um circuito integrado e alguns componentes externos, ou exclusivamente por componentes discretos, dependendo das opções disponíveis e das características técnicas almejadas. Isso garantirá que a corrente da base permaneça independente das flutuações na tensão de alimentação. Em razão da exigência de uma referência precisa, estabilizada em temperatura, na prática, o circuito será mais complexo que o ilustrado ou exigirá componentes difíceis de adquirir no mercado brasileiro.

Por esse motivo, e com o objetivo de manter o projeto acessível a todos, optou-se por uma solução baseada em um divisor de tensão resistivo. A escolha foi possibilitada em razão de que a fonte de alimentação regulada fornece a estabilidade de tensão necessária para manter a corrente de base dentro dos parâmetros requeridos para o projeto. Portanto, é essencial que a fonte esteja corretamente ajustada e que o regulador LM317 seja de alta qualidade.

O circuito final é simples, de baixo custo, apresentando boa estabilidade térmica e simetria da corrente.

2 comentários sobre “Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I”

  1. Luis5 de setembro de 2024 às 12:56 PMResponder

    Olá.
    Parabéns pelo ótimo trabalho que vocês estão fazendo.
    Quando será publicada a segunda parte desse ótimo artigo e quem é o autor?

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