Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I

Há, todavia, “multímetros” digitais questionáveis que podem apresentar resistências menores que 10 MΩ, embora seus fabricantes ocultem essa informação ou forneçam dados inverídicos.

Por exemplo, um popular “multímetro” de um fabricante chinês, comercializado com diferentes marcas, além da classificação de segurança, CAT, ser falsa — pondo em risco a integridade física do operador —, apresenta uma resistência de entrada de apenas 5MΩ em baixas tensões, ainda que o valor de 10 MΩ seja informado na ficha técnica.

Multímetros de alta qualidade de marcas renomadas, como Fluke, Gossen Metrawatt, Hioki, Keysight, Sanwa e Yokogawa, entre outras, não apresentam esses problemas. São instrumentos dignos de confiança, embora possam ter um custo mais elevado. Além disso, são esses os instrumentos que se recomenda para uso em bancada ou campo, independente do leitor ser hobista ou profissional.

Algumas informações a respeito de multímetros digitais podem ser encontradas na quarta parte de uma série de textos publicados entre 2020 e 2022. Essas informações estão disponíveis para consulta no seguinte endereço:

https://www.timiaudio.com.br/fmt/conselhos_entusiasta_part4.htm

Obs.: Todo o site, incluindo este link, só pode ser visualizado corretamente em computadores.

Devido às variáveis envolvidas no mundo real, a exatidão não é prioritária em um medidor despretensioso de hFE, como o aqui apresentado. No entanto, é importante  que ele seja preciso, permitindo-nos selecionar transistores com ganhos próximos e dentro da faixa desejada.

Caso haja interesse por parte do leitor, mais informações acerca de exatidão e precisão podem ser encontradas no mesmo artigo mencionado anteriormente.

Teoria

A corrente do coletor (Ic) de um transistor é, resumidamente, a corrente da base (Ib) multiplicada por seu hFE. Se a corrente da base for conhecida, o hFE pode ser calculado ao medir a corrente do coletor e dividir o valor obtido por Ib. Figura 1.


A corrente de emissor (Ie) será a soma das correntes de base (Ib) e coletor (Ic).

Figura 1.

2 comentários sobre “Um Simples Medidor de hFE Para Transistores de Baixa Potência – Parte I”

  1. Luis5 de setembro de 2024 às 12:56 PMResponder

    Olá.
    Parabéns pelo ótimo trabalho que vocês estão fazendo.
    Quando será publicada a segunda parte desse ótimo artigo e quem é o autor?

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