Caso se opte por um componente de maior durabilidade, a utilização de um soquete do tipo ZIF (Zero Insertion Force) é uma opção viável. Sinta-se livre para exercer a sua criatividade.
Por outro lado, os transistores de média potência podem ser conectados com auxílio de cabos com garras jacarés ou pinças. Estes cabos não devem exceder o comprimento de 20 cm. Para não comprometer a precisão, durante a leitura é essencial evitar tocar com as mãos no cabo conectado à base.
Utilizar bornes e pinos bananas, por exemplo, de 2 mm facilitará o uso de diferentes tipos de cabos.
É oportuno lembrar que alguns transistores de média potência podem ter correntes máximas de coletor tão baixas quanto 50 mA. Sendo que mesmo para tais o presente medidor poderá ser utilizado com segurança, tendo em vista que a corrente está limitada aos 33 mA e, a dissipação será sempre menor que 85 mW.
A ligação do coletor com a base não deve ser invertida, pois se isto acidentalmente ocorrer a corrente que fluirá pela junção base-emissor estará próxima dos 12 mA, quando SW2 estiver na posição 1 μA. E, 37 mA com SW2 na posição de 10 μA. Geralmente isso não danificará o transistor, mas há dispositivos cuja corrente máxima de base é muito pequena, podendo causar alterações importantes em sua estrutura.
4 – Selecione a chave SW2 para a corrente adequada de base.
5 – Coloque a chave SW4 na posição ‘hFE’ para medir o ganho.
6 – Momentaneamente, coloque a chave SW3 na posição ‘Zero’.
No multímetro do exemplo, a leitura esperada será ‘± .000’ ou ‘± .001’, sendo que cada
contagem corresponde a uma unidade de ganho. A variação de uma contagem é uma
característica natural dos instrumentos digitais.
Ao retornar a chave SW3 à posição ‘Norm’, o valor do hFE será exibido no visor do multímetro.
7 – Será possível medir a tensão base-emissor para a corrente selecionada, ao alternar a chave SW4 para a posição VBE.
No caso de transistores PNP, todos os valores medidos serão negativos.
Consideremos o seguinte exemplo:
1 – Medição do ganho do 2N2222:
Para medir o ganho de um transistor 2N2222, selecione a chave SW1 para a configuração NPN e a chave SW2 para 1 µA ou 10 μA.
