O Transistor VAS

Felizmente, ou infelizmente, esse tipo de circuito é bastante estável, e tem que ser feita muita coisa errada para desestabilizá-lo, daí o “oidar-técnico” tem a impressão de estar melhorando ou incrementando características do amplificador, quando, na verdade, pode estar prejudicando seu funcionamento.

Cargas resistivas, como a mostrada no circuito de exemplo, não são muito comuns hoje em dia. Muito melhor performance é alcançada com cargas ativas, como fontes de corrente, que tornam o VAS independente do ganho do estágio de saída.

Após esta descrição, passemos a mais um critério na escolha do transistor para a função de VAS.

Até agora, vimos que temos que observar a potência máxima dissipada, a tensão entre coletor e emissor e a corrente de trabalho. Sabemos, também, de nossa experiência, que transistores com ganho alto e f_T alto são melhores nessa função. Mas, por quê?

Douglas Self (Audio Power Amplifier Design, 6th Edition, Focal Press, pág. 169-171), explora a escolha desse componente, e esclarece que um dos fatores que influenciam na performance (linearidade em altas frequências) do transistor VAS é sua capacitância interna C_bc ou C_ob.

Essa avaliação sobre a importância de C_bc na distorção do transistor VAS foi levantada por Samuel Groner (https://www.sg-acoustics.ch/analogue_audio/power_amplifiers/index.html) e foi objeto de discussão na referência de Self, citada. Self providenciou a medição do parâmetro Cbc de diversos transistores e sua influência na distorção do estágio, que pode ser sumarizada na tabela abaixo:

C_bc versus DHT (Self – Audio Power Amplifier Design, 6th Edition, Focal Press, pág. 170)

Podemos ver a correlação direta entre C_bc e a DHT. Alguns dos transistores testados são comuns em nosso mercado, mas o BD139 usado por Self merece nossa atenção.

Inicialmente, o BD139 foi fabricado pela Philips (hoje NXP) e, posteriormente, vários outros fabricantes passaram a produzi-lo.

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