Agora convido o leitor a olhar a fig.2 e a observar que nela temos ID (corrente de dreno) e, diferentemente da fig.1, onde aparece IDSS, também especificada como corrente de dreno.
Fig. 2 – Recorte do data sheet da NXP para o BF245
Você saberia responder qual a diferença entre ID e IDSS?
Se não sabe, não fique triste, pois nunca é tarde para aprender e a hora chegou.
Na fig.2 temos ID(máx) = 25mA o que significa que se você “puxar” mais de 25mA, seja no BF245 A, B ou C irá destruí-lo irremediavelmente.
Para que não paire nenhuma dúvida vamos nos deter apenas no quesito IDSS olhando a fig.3.
Fig. 3 – Destaque para o IDSS do BF245 (A,B,C)
A primeira coisa que você deve observar é que temos três faixas de valores de corrente, cada uma com um mínimo e um máximo a depender do sufixo A, B ou C.
Entretanto, a um pequeno detalhe que não deve ser desprezado e está marcado como a seta vermelha: VGS = 0.
Quando a tensão gate-source (VGS) é nula o canal do JFET está totalmente aberto, fazendo com que o transistor conduza o máximo de corrente de dreno que neste caso passa a ser chamada de IDSS para tensão VDS = 15V.
Para cada sufixo temos uma faixa de IDSS diferente e somente o tipo C pode conduzir 25mA no máximo.
Então, quer dizer que podemos usar o BF245C no lugar de um BF245A ou BF245B?
Honestamente não me sinto seguro em afirmar que sim sem uma análise mais profunda do projeto. Em outras palavras, se quiser fazer, faça-o por sua conta e risco.
