Moral da história
Os equipamentos ficam cada dia mais sofisticados, o que exige que o técnico reparador realmente saiba eletrônica e esteja sempre se atualizando ou, então, vira um trocador de placa, quando encontra placa para comprar.
Pior ainda quando destrói o pobrezinho por inépcia e depois devolve ao cliente dizendo que não tem conserto.
Voltando ao famigerado data sheet do 30J127
Eu disse lá atrás que “ainda” não sabia responder porque não se encontra o data sheet verdadeiro do 30J127, mas ao editar o artigo para publicação, o Marcelo Yared mandou uma dica interessante.
Procurando-se no sítio arrow.com/datasheets, um revendedor norte americano de componentes confiáveis, ele encontrou o 30J126.
Provavelmente o número 26 e 27 é o serial number como se pode intuir analisando o Part Numbering Scheme da Toshiba que vemos na fig. 10.
Fig. 10 – Part Numbering Scheme obtido na pág. 4 do Product Guide da Toshiba
Moral da história II
Não basta saber eletrônica para ser um bom técnico rapador, tem que ter espírito investigativo também e é por isso, que Sherlock Holmes é meu ídolo, meu caro Watson!
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!
Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.
O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).
O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.