O que me interessa abordar a partir deste vídeo começa aos 16 minutos, onde é mostrado que um técnico substituiu o FGD4536, utilizado originalmente no TV, pelo RJP30H1DPD, provavelmente sugerido por algum “influenciador digital” da Internet.
Ambos os IGBTs têm VCES de 360V e, embora o original suporte uma corrente de coletor de 50A, enquanto a do “substituto ou equivalente”, como diz a “galera do youtube”, seja de apenas 30A o maior problema não está aí.
Se olharmos, os data sheets, veremos que os tempos de chaveamento do original utilizado no TV, FGD4536 estão em nanosegundos, enquanto no que foi colocado em substituição, RJP30H11DPD, estão em microssegundos, ou seja, ele é 1000 vezes mais lento. Veja nas figs. 8 e 9.
Fig. 8 – Recorte do data sheet o RJP30H11DPD mostrando os tempos de chaveamento
Fig. 9 – Recorte do data sheet o FGD436 mostrando os tempos de chaveamento
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!
Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.
O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).
O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.