De repente me deparei com um vendedor no Mercado Livre que coloca na sua página de venda a foto da fig. 7 para “provar” que o dele é original de verdade.
Fig. 7 – Foto de um vendedor de Mercado Livre
Se consideramos o resultado mostrado no T-7 pelo menos garante que é um IGBT e sem diodo interno. O que já é meio caminho andado.
No Dy-293 temos a tensão de break down coletor-emissor de 721V que, para esta família de IGBTs da Toshiba é de 600V, mas como diz o ditado, o que abunda não prejudica.
Ah, então este é original mesmo, podemos garantir?
Eu diria, podemos arriscar e ver se funciona porque faltam mais especificações cruciais, como tempos de chaveamento, capacitâncias de entrada e saída e os gráficos de SOA (Safe Operation Area) além da corrente de coletor, é claro, para bater o martelo, e estas são medições que nós não temos como realizar.
A importância de se ter o data sheet completo e saber interpretá-lo
O caso que relato abaixo foi obtido em um vídeo no canal Mais Eletrônica do Rangel Carvalho e demonstra a importância de saber analisar detalhadamente o data sheet de um IGBT (o mesmo se diria para MOSFETs) na hora de uma substituição.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!
Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.
O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).
O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.