E aqui vai uma dica importante, ao adquirir um 30J127, faça a medição mostrada na fig. 4 e, se aparecer diodo, nem precisa continuar, porque não é IGBT.
Outros IGBTs podem ter diodo embutido entre coletor-emissor e você descobrirá isto se tiver a sorte de ter o data sheet verdadeiro do transistor ou um esquema onde ele seja utilizado.
Com as evidências obtidas até aqui parecia não haver mais dúvida que vários do tal 30J127 vendido por aí é fake mas, eu ainda estava à cata de uma prova irrefutável.
Voltei ao sítio da AG Electrónica e olhe na fig. 6 o que encontrei escondidinho lá.
Fig. 6 – Página da AG Electrónica mostrando o GT30J127
Repare que o “fabricante” do tal GT30J127 é GENERICO, ou seja, um pilantra de plantão pega um MOSFET refugado e carimbacom o código de um IGBT Toshiba, que não aparece no Product Guide da Toshiba.
Está aí o gato escondido com o rabo de fora!
Mas, afinal, existe ou não existe um IGBT denominado GT30J127 e por que ele é tão procurado?
Pelos esquemas de alguns TVs de plasma vê-se que ele existe e por que não se encontra o data sheet completo e “verdadeiro” do mesmo?
Esta é uma pergunta que eu não sei responder, ainda.
Se vasculharmos a Internet veremos vários vendedores do 30J127 e algum deles até fornecem o data sheet, aquele da AG Electrónica.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!
Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.
O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).
O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.