IGBT não é MOSFET, você sabia?

Fig. 2 – Recorte do pseudo data sheet da AG Electrónica

O destaque em vermelho, que aparece na fig. 2, aponta para o GT30J124 e se observamos com atenção não existe GT30J127 e sim GT45G127 no catálogo da Toshiba. Até aqui eu já estava começando a ficar convencido que “não existe” IGBT 30J127 e o que vendem por aí é uma falsificação grosseira.

Entretanto, pesquisando em alguns esquemas de TV de Plasma da Samsung ele aparece na placa Y, por exemplo, como vemos na fig.3, e dá para ver que não tem diodo FRD (Fast Recovery Diode) embutido. Uma observação importante.

Fig. 3 – Parte do esquema da placa Y da TV Samsung PN43H4000

Um comentário sobre “IGBT não é MOSFET, você sabia?”

  1. Jonas Paulo Negreiros15 de julho de 2024 às 11:52 AMResponder

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
    FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!

    Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.

    O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).

    O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.

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