Se a sua resposta for: – eu sabia – parabéns, você faz parte de uma casta de técnicos em extinção e que precisa ser protegida dos predadores que andam por aí.
Por outro lado, se você não sabe, não fique triste pois, tem “vendedores” de semicondutores, que também não sabem que MOSFET é MOSFET e IGBT é IGBT.
Mas, seja lá qual tenha sido a resposta sugiro que continue a ler porque descobrirá coisas interessantes.
Uma conversa puxa a outra
Estava eu a pesquisar sobre IGBTs para atualizar meu e-book Diodos & Transistores Encontrando Substitutos quando me deparei com esta “pérola”, no “data sheet” do GT30J127 fornecido pela da AG Electrónica de El Salvador, que vemos na fig.1.
Fig. 1 – Recorte do “data sheet” do GT20J127 da AG Electrónica
Rolando as páginas deste pseudo data sheet, encontrei um recorte, que vemos na fig.2, que mostra que ele foi retirado do Product Guide Discrets IGBTS da Toshiba.
*Professor de Matemática e Técnico em Eletrônica
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) não é FET!
FET (Field Effect Transistor) não é Transistor!
Transistor não é um compontente, mas um efeito de amplificação e controle de corrente por transferência de resistência. TRANSference-reSISTOR em cristais dopados do tipo NPN ou PNP . Em outras palavras, uma pequena corrente de entrada controla uma alta corrente de saída. O termo Bipolar vem do fato que esse dispositivo depender de cristais P e N para funcionar. O fator limitante de saturação de correne do transistor bipolar é o Uce sat (ou Vce sat), tensão de saturação entre emissor e coletor em corrente máxima.
O FET não é um transistor, pois amplifica a corrente de saída pela ação de um campo elétrico do gate (porta de entrada) sobre um canal semicondutor simples (de cristal único N ou P). Em outras palavras, uma tensão de entrada controla a corrente de saída. O eletrodo de controle de corrente (gate ou porta) pode ser isolado por uma fina camada de óxido metálico (MOS – Metal Oxide Semiconductor) ou através de uma carga de barreira desenvolvida por uma tensão reversa na junção gate-channel (porta-canal) JFET. A corrente máxima que circula no canal de saída é definida pela resistência supridouro-dreno quando saturado (Rds on – Drain Source Resistence).
O IGBT comporta-se como um transistor de efeito de campo na entrada e como um transistor bipolar na saída, pois usa cristais NP ou PN por onde passa a corrente de saída.