Ao longo de seu ano e meio lá, Moore auxiliou na criação de novos métodos de fabricação de pastilhas à base de silício. Isso envolvia um processo chamado dopagem – que introduz as impurezas necessárias no silício puro. Embora possa parecer contraintuitivo, esses materiais dopantes são necessários para criar regiões com escassez e excesso de elétrons. Essa diferença de carga transforma um transistor em uma chave funcional.
Assim, Moore foi fundamental para encontrar níveis de impurezas e compostos para alcançar o desempenho ideal. Mais notavelmente, ele desenvolveu processos de estado sólido para difundir esses dopantes em wafers brutos. Isso ajudou a tornar esses componentes viáveis em várias aplicações futuras.
A saída da Shockley e os primórdios de Fairchild
Enquanto o Shockley Labs produzia a principal tecnologia de semicondutores da época, Moore e vários de seus colegas lamentavam o micro gerenciamento por parte de William Shockley.
Este grupo, chamado de “Oito Traidores” incluía Moore e sete outros jovens cientistas. O ambiente do Shockley Labs era sufocante e acabou levando o grupo a se separar e formar sua própria empresa. Com o apoio da Fairchild Camera and Instrument, Division, o grupo lançou a Fairchild Semiconductor.
Moore ascendeu rapidamente, para se tornar o principal tecnólogo e gerente interno da empresa.
O trabalho de Moore pegou carona em sua pesquisa em Shockley, enquanto introduzia uma nova ciência de materiais na mistura. Ele definiu os processos de difusão da Fairchild e construiu equipamentos sob medida para o trabalho. Mais tarde, seu trabalho abrangeu a fabricação de transistores e ele logo percebeu que o alumínio combinava excepcionalmente bem com o silício.
No mundo da fabricação em escala, o alumínio era valorizado por seu preço amigável, abundância e desempenho.
Os seguintes avanços também resultaram do tempo de Moore com Fairchild:
• Processos planares para impressão de circuitos semicondutores
• A introdução do primeiro circuito integrado em 1961, em dióxido de silício
• Progresso notável na introdução do primeiro transistor de efeito de campo semicondutor do tipo MOSFET
