5. Polarização e Impedância de Entrada
5.1 Polarizando o Transistor NPN
Definida a corrente Icq, será preciso fornecer a corrente de base necessária, sem comprometer a impedância de entrada desejada e mantendo a estabilidade de Icq com a temperatura.
Quando o seguidor de emissor é acoplado diretamente a um estágio amplificador de tensão anterior, é necessário compatibilizar o ponto de operação de ambos os estágios. Nesse caso a tensão de coletor do amplificador de tensão, sem sinal, será VE+Vbe=VB. O valor de VE deve ser ajustado para máxima excursão num compromisso entre ambos os estágios.
Quando o transistor do seguidor de emissor for NPN, passa a ser interessante usar um complementar (PNP) no estágio de amplificação de tensão, para que ambos possam se aproximar da saturação, maximizando assim a excursão de tensão na saída.
Outro método de polarização simplificado é o mesmo usado para polarizar estágios com emissor comum, e será sempre usado quando o acoplamento com o estágio anterior ou a fonte de sinal for capacitivo (Fig. 8) ( Ref. [1][2]).
Aqui a tensão VB é determinada por um divisor de tensão formado por dois resistores R1 e R2, ligados à fonte Ebb :
O divisor de tensão pode ser analisado pelo seu circuito equivalente Thevenin, formado por uma fonte de tensão de valor VB em série com uma resistência de valor RB=R1//R2
Para chegar aos valores de R1 e R2, é preciso estabelecer um valor para RB. O critério vai ser reduzir a sensibilidade de Icq à variação do ganho de corrente do transistor e da temperatura.
Então:
5.2 Impedância de Entrada do Estágio Seguidor de Emissor
A impedância de entrada do estágio polarizado pelo divisor de tensão para pequenos sinais será aproximadamente [1]:
Rin= RB// [hie+ (hfe+1).(RE//RL)], quando usado RE;
Rin= RB// [hie+ (hfe+1).RL], se usarmos uma fonte de corrente;
O capacitor de acoplamento com o estágio anterior, ou a fonte de sinal, Cin, vai ser calculado em função da frequência de corte inferior fL:
O capacitor de acoplamento com o estágio seguinte, ou a carga, Cout, vai ser calculado em função da impedância de saída do SE e carga RL.
Não é conveniente usar Cout para determinar a frequência de corte inferior do estágio inteiro a -3dB, fL.
Uma razão é reduzir a intensidade da corrente iout que passa por Cout, e outra a queda de tensão correspondente causada sobre sua impedância. Ambos os fatores vão aumentar a distorção para sinais grandes.
Portanto, vamos calcular Cout para uma f-3dB = fL/10.
A resistência de saída do SE vai ser:
Rout =[(RB+hie)/(hfe+1)]//RE
Como [(RB+hie)/(hfe+1)] << RE, podemos usar um valor aproximado para Cout dado por:
Para fL em Hz e RL em ohms, Cout resulta num valor em farads (F). Para obter o valor diretamente em µF, use:
Podemos usar a mesma expressão para o SE com fonte de corrente.
show de bola!!
Obrigado Josué!