c) e, para R4:
d) Essa configuração tem a maior estabilidade de corrente em relação à temperatura e a maior impedância de saída. A tensão mínima para funcionamento vai ser Vbeq1+Vcesat apenas, maximizando a excursão de sinal;
e) Q2 pode ser um par Darlington ou até um Sziklai ou CFP, para maior ganho de corrente.
FETs ou MOSFETs
Também podemos usar transistores FET, para Icq<IDSS, ou MOSFETs, como fontes de corrente.
a) R2 pode ser zero, então Icq=ID=IDSS, dependente do FET, da temperatura e variável de unidade para unidade;
b) Para R2 ≠ 0, R2= VGS(Icq)/Icq, Icq<IDSS;
c) VGS pode ser obtida das curvas do FET ou calculada a partir de dados como VGS(off) e IDSS
d) A impedância interna da fonte pode variar entre 1MΩ e 20kΩ dependendo do FET e ponto de operação;
e) FET’s sozinhos vão ser usados para correntes da ordem de alguns mA, tensões até 30V ou 40V.
show de bola!!
Obrigado Josué!