O primeiro componente a ser escolhido é o MOSFET Q1, que deve ser capaz de conduzir a corrente permanente dos filamentos, suportar o pico da tensão alternada de filamento e, ao mesmo tempo, exibir uma baixa Rds,on. Estas informações constam nas folhas de dados dos transistores e são de fácil obtenção.
Via de regra, deve-se escolher transistores cujo Vds,max seja suficiente para suportar o pico da tensão de filamento com alguma margem de segurança e cujo Id,max seja o maior possível dentro das limitações de custo e tamanho do componente. Via de regra, os MOSFETS de potência disponíveis no mercado vão exibir correntes máximas de dreno muito superiores às que serão demandadas em cada projeto. É conveniente escolher o MOSFET maximizando Id,max e minimizando Vds,max pois, desta forma, de modo geral, minimiza-se a resistência Rds,on do dispositivo.
A influência de Rds,on deve ser avaliada calculando-se a queda de tensão no canal, Vds,on,rms = I_filamento,rms*Rds,on. No circuito apresentado, a queda de tensão em regime permanente é de 600 mArms*0,4 Ω = 240 mVrms, que é pequena o bastante para ser desprezada perante os 16 Vrms nominais requeridos pelos filamentos das válvulas.
A escolha do IRF630 deu-se apenas porque ele estava disponível; com efeito, poder-se-ia ter escolhido um transistor mais adequado: o emprego de um IRFZ34, por exemplo, com Vds,max de 60 V, Id,max de 30 A a 25 ºC e Rds,on de 0,05 Ω reduziria a queda para apenas 30 mV, sem impacto apreciável no custo do componente. Naturalmente, é preciso verificar o aquecimento do MOSFET durante a operação e provê-lo de um dissipador de calor adequado, o qual foi dispensado neste projeto em virtude do aquecimento desprezível do IRF630.
O diodo D1 e o capacitor C1 devem ser capazes de lidar com a tensão retificada do secundário de filamento. O 1N4148 prescrito para D1 será adequado somente para secundários de filamento cuja tensão seja até 20 Vrms; para tensões maiores, deve-se adotar o BAV21 ou, mesmo, o 1N4007. Um cuidado semelhante deve ser tomado com relação a D2.
O divisor R2+R3 deve ser dimensionado de forma a proporcionar cerca de 9 V em regime permanente, com uma resistência interna de cerca de 250 kΩ. Levando-se em consideração a ondulação elevada presente na tensão retificada em C1, valem os cálculos:
